Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Карпов С$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
1. |
Матюшенко Л. И. Метод позднего связывания для формирования документов в процессе функционирования информационной системы [Електронний ресурс] / Л. И. Матюшенко, С. Г. Назаренко, С. И. Карпов // Системи обробки інформації. - 2003. - Вип. 1. - С. 202-206. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/soi_2003_1_32
| 2. |
Карпов С. А. Радиационное упрочнение нержавеющей стали SS316, индуцированное облучением ионами аргона [Електронний ресурс] / С. А. Карпов, Г. Д. Толстолуцкая, Б. С. Сунгуров, А. Ю. Ростова, Г. Н. Толмачева, И. Е. Копанец // Фізико-хімічна механіка матеріалів. - 2016. - Т. 52, № 3. - С. 74-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PHKhMM_2016_52_3_13 Изучена корреляция радиационно-индуцированного упрочнения нержавеющей стали SS316 и эволюции ее микроструктуры при облучении ионами аргона c энергией 1,4 МeV в интервале доз 0 - 25 dpa (смещений на атом) при 300 и 900 K. Показано, что упрочнение при таких дозах достигает 75 % и выходит на насыщение при 2 dpa. Наибольший вклад вносят кластеры дефектов и дислокационные петли с диаметром менее 15 nm.
| 3. |
Карпов С. Ю. Використання технології PON для передавання сигналів точної частоти та часу [Електронний ресурс] / С. Ю. Карпов, Г. О. Гринкевич // Наукові записки Українського науково-дослідного інституту зв'язку. - 2018. - № 1. - С. 70-73. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nzundiz_2018_1_11 Розглянуто технологію PON, принципи її роботи, а також викладено опис видів технології та перспективи її використання в якості телекомунікаційних розподільчих мереж сигналів точної частоти. Досліджено питання якості передавання сигналів точної частоти на ділянках PON. Топологічна особливість архітектури PON, яка має структуру дерева приваблива до її використання в якості телекомунікаційної розподільчої мережі сигналів точної частоти та часу, потенційно не схильній до збудження за рахунок виникнення петель сигналів синхронізації і тому дослідження особливостей передавання мереж з технологіями PON представляє практичний інтерес з точки зору якості передавання сигналів точної частоти і часу.
| 4. |
Ружицкий В. В. Развитие гелиевой пористости при отжиге имплантированной гелием стали Х18Н10Т [Електронний ресурс] / В. В. Ружицкий, С. А. Карпов, А. С. Кальченко, И. Е. Копанец, Б. С. Сунгуров, Г. Д. Толстолуцкая // East european journal of physics. - 2018. - No. 4. - С. 69-76. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eejph_2018_4_10 Кинетика процессов развития гелиевой пористости при отжиге нержавеющей стали Х18Н10Т, облученной ионами гелия с энергией 20 кэВ при комнатной температуре для одновременного создания смещающих повреждений на уровне 0,5 - 5 сна и концентрации гелия 1 - 12 ат.%, исследована с помощью методов электронной микроскопии и термодесорбционной спектрометрии. Определены температурные интервалы выхода гелия из стали и их зависимость от дозы облучения. Исследована эволюция микроструктуры стали Х18Н10Т в процессе постимплантационных отжигов в интервале температур от Tкомн до 1420 К. При дозе облучения <$E1~cdot~10 sup 20> м<^>-2 гелиевые пузырьки были обнаружены только после отжига до температуры 890 К, при дозе <$E1~cdot~10 sup 21> м<^>-2 пузырьки наблюдались сразу после облучения при Tкомн. В процессе отжига средний диаметр пузырьков изменяется от -1 нм при Tкомн до 10 - 20 нм при Tотж 1420 К. Рассмотрены механизмы роста пузырька либо путем миграции и коалесценции пузырьков, либо по механизму Оствальда - растворение и перезахват. Поскольку каждому из этих механизмов соответствует определенный тренд зависимости размеров и плотностей пузырьков от температуры отжига, построены и проанализированы температурные зависимости средних диаметров и плотностей гелиевых пузырьков для дозы <$E1~cdot~10 sup 21> м<^>-2. Экспериментальные данные характеризуются тремя температурными интервалами: 1 - от 300 до 760 К, 2 - от 760 до 1030 К и 3 - от 1030 до 1350 К с явно различающимися трендами. В низкотемпературной области диаметр и плотность пузырьков практически не меняется. При отжиге в области температур от 760 до 1030 К начинается рост их размеров и снижение плотности. Эта тенденция нарастает в области температур 1030 - 1420 К. Выполнена оценка энергии активации процессов, контролирующих механизм роста пузырьков в области температур 1000 - 1420 К. Получено значение -3,7 эВ, которое хорошо коррелирует с теоретически рассчитанной величиной энергии активации процесса диссоциации (<$Eroman {E sub He sup diss }>) по механизму Оствальда.
|
|
|